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美光宣布量產(chǎn)PCM相變內(nèi)存 將用于移動設(shè)備領(lǐng)域

   時間:2012-07-18 14:41:01 來源:搜狐IT編輯:星輝 發(fā)表評論無障礙通道

美光科技今日在位于美國愛達(dá)荷州的總部宣布,該公司已經(jīng)開始量產(chǎn)面向移動設(shè)備領(lǐng)域的相變內(nèi)存(Phase Change Memory,簡稱PCM)。

目前量產(chǎn)的產(chǎn)品使用45nm制程工藝,規(guī)格為1個1Gbit的PCM顆粒與1個512Mbit的LPDDR2 DRAM組成堆疊封裝。目前美光該45nm PCM解決方案主要面向功能型手機(jī)市場,未來計劃擴(kuò)展到智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域。

作為美光最親密的合作伙伴,Intel也表明了力挺態(tài)度。Intel移動通信事業(yè)群組副總裁Stefan Butz稱該公司一項站在技術(shù)的最先端,在美光的PCM技術(shù)上看到了廣闊的前景和價值。

根據(jù)PCM的技術(shù)特點,使用這種存儲方案的設(shè)備將擁有更短的啟動時間,更低的功耗=更長的續(xù)航以及更強(qiáng)的耐用性。由于PCM斷電后不丟失數(shù)據(jù)的特性,實際上除輔助DRAM作為內(nèi)存之外還可替代NOR/NAND閃存的作用。

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