該逆變器采用堆疊式 n 型和 p 型納米片晶體管,臺(tái)積電在設(shè)計(jì)中融入了背面觸點(diǎn)和互連技術(shù),極大地提高了器件的性能與設(shè)計(jì)靈活性。 IBM和三星將展示一種“單片堆疊 FET”,這項(xiàng)研究提出了階梯結(jié)構(gòu)的概念,其…
快科技9月12日消息,據(jù)財(cái)新網(wǎng)消息,IBM CEO ArvindKrishna在一次面向IBM全球員工的內(nèi)部線上會(huì)議中,回應(yīng)關(guān)閉中國(guó)研發(fā)部門(mén)的原因,關(guān)閉中國(guó)研發(fā)部門(mén)已是完成時(shí),不可撤銷(xiāo)。 Arvind Kr…