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臺(tái)積電2nm制程工藝領(lǐng)跑,良品率超預(yù)期達(dá)60%!

   時(shí)間:2024-12-06 22:10:39 來(lái)源:ITBEAR編輯:快訊團(tuán)隊(duì) 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

近期,半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺(tái)積電在制程技術(shù)方面取得了新的突破。據(jù)悉,該公司已經(jīng)將研發(fā)與量產(chǎn)的重點(diǎn),從剛剛在今年12月實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)的3nm制程工藝,轉(zhuǎn)向了更為先進(jìn)的2nm制程工藝。

據(jù)內(nèi)部消息透露,臺(tái)積電的2nm制程工藝有望在即將到來(lái)的2025年一季度,于楠梓產(chǎn)業(yè)園區(qū)正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。這一工藝采用了全新的納米片電晶體架構(gòu),預(yù)期在同等速度下能效將提升20%至30%,或在同等能耗下速度提升10%至15%,標(biāo)志著新一代半導(dǎo)體技術(shù)的到來(lái)。

尤為臺(tái)積電2nm制程工藝的良品率表現(xiàn)異常出色,已經(jīng)超出了最初的預(yù)期,達(dá)到了60%以上的高水平。這一成果無(wú)疑為臺(tái)積電進(jìn)一步擴(kuò)大該制程工藝的量產(chǎn)規(guī)模,并將其應(yīng)用于更多產(chǎn)品線提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

臺(tái)積電的高層對(duì)2nm制程工藝的前景充滿信心。公司董事長(zhǎng)兼CEO魏哲家多次在公開(kāi)場(chǎng)合表示,2nm制程工藝的研發(fā)進(jìn)展順利,正按照既定計(jì)劃穩(wěn)步向前推進(jìn),預(yù)計(jì)將在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。

隨著臺(tái)積電2nm制程工藝的逐步推進(jìn),全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)新一輪的技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。這不僅將進(jìn)一步提升臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力,也將為整個(gè)行業(yè)的發(fā)展注入新的活力和動(dòng)力。

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