【ITBEAR】近日，一臺國產(chǎn)光刻機的性能數(shù)據(jù)引發(fā)了廣泛關注。據(jù)悉，該光刻機擁有高達65nm的分辨率和8nm的套刻精度，標志著我國在干式DUV光刻機領域取得了顯著進展，離更為先進的浸潤式DUV光刻機技術也僅一步之遙。
盡管國產(chǎn)光刻機展現(xiàn)出令人矚目的性能，但與國際巨頭ASML相比，仍存在不小的差距。ASML早在20年前就已成功研發(fā)出浸潤式DUV光刻機，這意味著在光刻機技術領域，我國與ASML的差距可能長達20年。
然而，回顧歷史不難發(fā)現(xiàn)，我國在光刻機研發(fā)方面的起步時間其實遠早于ASML。早在上世紀60年代，我國便開始了光刻機的研發(fā)工作，并在1965年成功研制出65型接觸式光刻機。彼時，ASML尚未成立。
那么，究竟是什么原因?qū)е铝宋覈诠饪虣C技術領域與ASML的差距逐漸拉大呢？這背后主要有兩大原因。
首先，受1971年中美建交影響，美國曾向我國提供了一系列高精尖技術產(chǎn)品，使得我國在一定程度上減緩了自主研發(fā)的步伐。當時，“造不如買”的觀念盛行，導致一些具有挑戰(zhàn)性、投入大的研發(fā)項目被擱置，光刻機的研發(fā)工作也受到了影響。
其次，ASML的光刻機技術并非憑借一己之力研發(fā)而成。ASML匯聚了歐美眾多國家和地區(qū)的科技力量，還得到了臺積電、三星、Intel等巨頭的支持。例如，浸潤式光刻機的研發(fā)便得益于臺積電林本堅提供的創(chuàng)新思路。相比之下，我國在光刻機研發(fā)過程中則面臨著歐美技術封鎖的困境，無法充分整合全球先進供應鏈資源，只能依靠自身力量進行突破。
盡管如此，隨著近年來國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的蓬勃發(fā)展以及科技實力的不斷提升，國產(chǎn)光刻機在關鍵技術、零部件等方面均取得了顯著突破。我們有理由相信，在不久的將來，浸潤式DUV光刻機甚至EUV光刻機都將有望在我國實現(xiàn)量產(chǎn)。這將為我國芯片產(chǎn)業(yè)擺脫外部打壓、實現(xiàn)自主可控奠定堅實基礎。
