【ITBEAR】臺積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域再次取得顯著進(jìn)展，成功縮小了2nm制程節(jié)點上的SRAM單元尺寸。這一突破性的成果預(yù)計將大幅提升SRAM密度，為現(xiàn)代CPU、GPU和SoC設(shè)計的性能優(yōu)化鋪平道路。
據(jù)悉，臺積電在新一代2nm制程中引入了GAA晶體管架構(gòu)，實現(xiàn)了HD SRAM位單元尺寸的顯著縮小，約減小了10%。這一改進(jìn)對于提高處理大批量數(shù)據(jù)的能力至關(guān)重要，因為更大的緩存容量意味著更少的內(nèi)存訪問，從而節(jié)省了性能和電力消耗。
臺積電將在即將到來的IEDM會議上展示其2nm制程節(jié)點的最新成果，其中HD SRAM位單元尺寸已縮小至約0.0175μm2。這一創(chuàng)新不僅代表了技術(shù)上的巨大飛躍，也為未來智能設(shè)備的高效化、智能化發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。
值得關(guān)注的是，臺積電還計劃在今年第四季度推出首款采用3nm工藝的智能手機(jī)芯片。該芯片同樣采用了先進(jìn)的GAA晶體管架構(gòu)，預(yù)計將為用戶帶來更為出色的性能和效率體驗。
隨著高性能電子設(shè)備對SRAM單元的需求持續(xù)增長，臺積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的這一重大突破無疑將為整個行業(yè)注入新的活力。通過不斷優(yōu)化制程技術(shù)，臺積電正致力于滿足市場對于更小、更高效SRAM單元的迫切需求。
