【ITBEAR】近期，中國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的多個(gè)領(lǐng)域正加速推進(jìn)自給自足的步伐，力求減少對(duì)外部供應(yīng)鏈的依賴。這一戰(zhàn)略涵蓋了邏輯芯片制造、DRAM內(nèi)存、HBM內(nèi)存、NAND閃存，以及半導(dǎo)體設(shè)備和材料的研發(fā)與生產(chǎn)。
在邏輯芯片制造領(lǐng)域，盡管有觀點(diǎn)認(rèn)為中國(guó)與全球領(lǐng)先水平存在約十年的差距，但更多分析傾向于這一差距在3-5年左右。這一評(píng)估部分基于華為最新款手機(jī)的芯片性能。
DRAM內(nèi)存方面，中國(guó)廠商長(zhǎng)鑫已實(shí)現(xiàn)LPDDR5技術(shù)，相當(dāng)于全球第六代水平，僅落后一代。然而，在更先進(jìn)的HBM內(nèi)存領(lǐng)域，中國(guó)據(jù)估計(jì)落后全球約十年，主要?dú)w因于起步較晚。
NAND閃存方面，長(zhǎng)存曾推出全球首款200+層3D NAND閃存，技術(shù)領(lǐng)先。但因設(shè)備受限，目前國(guó)產(chǎn)化水平約為160層，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手存在兩代差距。盡管如此，外媒指出，長(zhǎng)存的技術(shù)基礎(chǔ)并未落后，只是受限于設(shè)備。
半導(dǎo)體設(shè)備方面，中國(guó)落后全球約3-5年，而在光刻機(jī)技術(shù)上，差距被評(píng)估為至少15年以上，因?yàn)橹袊?guó)尚未掌握浸潤(rùn)式光刻機(jī)技術(shù)，而ASML已擁有超過(guò)20年的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。
外媒總結(jié)認(rèn)為，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極為復(fù)雜，全球尚無(wú)國(guó)家能實(shí)現(xiàn)完全自給。中國(guó)雖因外部壓力刺激了創(chuàng)新，但在如此復(fù)雜的技術(shù)生態(tài)中，單打獨(dú)斗的戰(zhàn)略面臨巨大挑戰(zhàn)。中國(guó)要實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈自給，仍有漫長(zhǎng)道路要走。
