【ITBEAR科技資訊】7月25日消息,據(jù)最新國外媒體報(bào)道,蘋果公司正醞釀一項(xiàng)重大技術(shù)升級,計(jì)劃在2026年的iPhone系列中引入前所未有的2TB存儲容量,此舉無疑將徹底改寫智能手機(jī)存儲容量的標(biāo)準(zhǔn)。這一變革的背后,是蘋果加速推進(jìn)QLC NAND閃存技術(shù)的換代步伐,旨在通過技術(shù)革新進(jìn)一步提升產(chǎn)品競爭力。
據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)部人士透露,蘋果選擇QLC NAND閃存作為未來存儲解決方案的關(guān)鍵,主要出于成本控制的考量。與當(dāng)前廣泛使用的TLC NAND閃存相比,QLC NAND以其獨(dú)特的四層單元設(shè)計(jì),在存儲密度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。每個存儲單元能夠存儲四位數(shù)據(jù),這意味著在相同物理空間內(nèi),QLC NAND能夠存儲更多數(shù)據(jù),或者通過減少單元數(shù)量達(dá)到相同的存儲容量,從而有效降低生產(chǎn)成本。
然而,QLC NAND閃存雖然在存儲密度上占據(jù)優(yōu)勢,但其寫入耐久性和速度方面卻面臨一定挑戰(zhàn)。由于每個單元需要存儲更多的數(shù)據(jù),其寫入次數(shù)相應(yīng)增加,可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)持久性下降。此外,QLC NAND能夠存儲16種不同的電荷電平,較TLC的8種電平更為復(fù)雜,這在一定程度上增加了讀取過程中的噪聲干擾和位錯誤風(fēng)險(xiǎn)。
據(jù)了解,蘋果在推進(jìn)QLC NAND技術(shù)的同時(shí),已著手解決這些潛在問題。通過優(yōu)化固件算法、增強(qiáng)錯誤校正機(jī)制等措施,蘋果力求在確保存儲性能的同時(shí),提升QLC NAND的可靠性和耐用性。盡管如此,隨著QLC NAND的引入,部分用戶仍可能感受到數(shù)據(jù)寫入速度的變化,尤其是在存儲容量達(dá)到或超過1TB的iPhone 16系列中,這一現(xiàn)象可能更為明顯。
蘋果此次對存儲技術(shù)的重大調(diào)整,不僅反映了其在技術(shù)創(chuàng)新上的不懈追求,也預(yù)示著智能手機(jī)市場即將迎來一場存儲容量的革命。