【ITBEAR科技資訊】7月25日消息，據(jù)最新國(guó)外媒體報(bào)道，蘋(píng)果公司正醞釀一項(xiàng)重大技術(shù)升級(jí)，計(jì)劃在2026年的iPhone系列中引入前所未有的2TB存儲(chǔ)容量，此舉無(wú)疑將徹底改寫(xiě)智能手機(jī)存儲(chǔ)容量的標(biāo)準(zhǔn)。這一變革的背后，是蘋(píng)果加速推進(jìn)QLC NAND閃存技術(shù)的換代步伐，旨在通過(guò)技術(shù)革新進(jìn)一步提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)部人士透露，蘋(píng)果選擇QLC NAND閃存作為未來(lái)存儲(chǔ)解決方案的關(guān)鍵，主要出于成本控制的考量。與當(dāng)前廣泛使用的TLC NAND閃存相比，QLC NAND以其獨(dú)特的四層單元設(shè)計(jì)，在存儲(chǔ)密度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。每個(gè)存儲(chǔ)單元能夠存儲(chǔ)四位數(shù)據(jù)，這意味著在相同物理空間內(nèi)，QLC NAND能夠存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，或者通過(guò)減少單元數(shù)量達(dá)到相同的存儲(chǔ)容量，從而有效降低生產(chǎn)成本。
然而，QLC NAND閃存雖然在存儲(chǔ)密度上占據(jù)優(yōu)勢(shì)，但其寫(xiě)入耐久性和速度方面卻面臨一定挑戰(zhàn)。由于每個(gè)單元需要存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，其寫(xiě)入次數(shù)相應(yīng)增加，可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)持久性下降。此外，QLC NAND能夠存儲(chǔ)16種不同的電荷電平，較TLC的8種電平更為復(fù)雜，這在一定程度上增加了讀取過(guò)程中的噪聲干擾和位錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)。
據(jù)了解，蘋(píng)果在推進(jìn)QLC NAND技術(shù)的同時(shí)，已著手解決這些潛在問(wèn)題。通過(guò)優(yōu)化固件算法、增強(qiáng)錯(cuò)誤校正機(jī)制等措施，蘋(píng)果力求在確保存儲(chǔ)性能的同時(shí)，提升QLC NAND的可靠性和耐用性。盡管如此，隨著QLC NAND的引入，部分用戶(hù)仍可能感受到數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度的變化，尤其是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過(guò)1TB的iPhone 16系列中，這一現(xiàn)象可能更為明顯。
蘋(píng)果此次對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)的重大調(diào)整，不僅反映了其在技術(shù)創(chuàng)新上的不懈追求，也預(yù)示著智能手機(jī)市場(chǎng)即將迎來(lái)一場(chǎng)存儲(chǔ)容量的革命。
