【ITBEAR科技資訊】5月17日消息，據(jù)韓媒ZDNet Korea報道，三星電子正考慮在下一代HBM4內(nèi)存中采用先進的1c nm制程DRAM芯片，以增強其產(chǎn)品的能效競爭力。
今年年初，三星電子的代表在Memcon 2024行業(yè)會議上透露，公司有望在年底前實現(xiàn)1c nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)。對于HBM4，三星預計將在明年完成這款新型AI內(nèi)存的研發(fā)工作，并計劃在2026年投入量產(chǎn)。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星電子在目前已經(jīng)量產(chǎn)的HBM3E內(nèi)存中并未采用與競爭對手SK海力士和美光相同的1b nm制程DRAM裸片，而是選擇了相對落后的1a nm顆粒，這使得其產(chǎn)品在能耗方面相較于競品存在一定的劣勢。這一現(xiàn)狀被知情人士視為三星決定在HBM4中引入1c nm DRAM顆粒的關鍵因素。
在半導體制造業(yè)中，同一制程技術的首批DRAM產(chǎn)品通常是針對桌面和移動設備的標準DDR/LPDDR產(chǎn)品。只有當這項技術成熟穩(wěn)定后，才會被應用到高價值但良率較低的HBM內(nèi)存中。
此外，有相關人士透露，三星電子HBM業(yè)務部門的高層和工作組計劃縮短HBM4的開發(fā)周期，以滿足AI處理器廠商對高性能內(nèi)存的需求。然而，這種加速研發(fā)的策略可能會增加生產(chǎn)過程中的良率風險。
目前在HBM內(nèi)存市場占據(jù)領先地位的SK海力士也表達了在HBM4E上采用1c nm制程的意向，但具體使用哪種制程的DRAM尚未正式確認。
