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三星擬推2nm工藝,半導(dǎo)體領(lǐng)域再掀技術(shù)競(jìng)賽風(fēng)暴

   時(shí)間:2024-02-05 09:28:16 來源:ITBEAR編輯:瑞雪 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

【ITBEAR科技資訊】2月5日消息,據(jù)最新報(bào)道,三星正籌備在韓國(guó)啟動(dòng)2nm制程技術(shù)的生產(chǎn),并計(jì)劃在2047年前投入500萬億韓元,以建設(shè)一座規(guī)模龐大的半導(dǎo)體工廠。這一舉措標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步擴(kuò)張和對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)的持續(xù)投資。

2nm工藝被業(yè)界看作是半導(dǎo)體技術(shù)的重要里程碑,它將顯著提升芯片的性能并降低功耗。據(jù)ITBEAR科技資訊了解,這一技術(shù)將為未來的電子產(chǎn)品帶來更強(qiáng)大的計(jì)算能力和更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間,從而推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響!三星2nm時(shí)間表公布

與此同時(shí),三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電也在積極布局2nm制程技術(shù)。臺(tái)積電在去年的研討會(huì)上就已經(jīng)透露了關(guān)于2nm芯片的一些細(xì)節(jié)。據(jù)悉,臺(tái)積電的2nm芯片將采用全新的N2平臺(tái),并引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。這些創(chuàng)新技術(shù)將有助于提升芯片的性能和能效。

業(yè)內(nèi)專家分析認(rèn)為,雖然三星和臺(tái)積電都具備在2025年實(shí)現(xiàn)2nm工藝量產(chǎn)的能力,但在良率和客戶認(rèn)可度方面仍存在一定差異。此前,高通曾因三星4nm工藝的功耗問題而轉(zhuǎn)向臺(tái)積電4nm工藝。如果三星能夠提升芯片的良率并解決功耗問題,未來仍有機(jī)會(huì)重新贏得高通的代工訂單。

在這場(chǎng)激烈的2nm競(jìng)爭(zhēng)中,無論是臺(tái)積電還是三星,都難以獨(dú)占鰲頭。畢竟,一個(gè)充滿活力的行業(yè)需要多家企業(yè)的共同發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)。

標(biāo)簽: 三星
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