【ITBEAR科技資訊】1月30日消息，三星近日透露，他們正在積極研發(fā)下一代V9 QLC閃存技術(shù)，該技術(shù)將實(shí)現(xiàn)高達(dá)280層的堆疊，預(yù)計(jì)在年內(nèi)正式問世。這一技術(shù)的革新將帶來存儲(chǔ)容量和性能的顯著躍升。
據(jù)悉，三星V9 QLC閃存技術(shù)的存儲(chǔ)密度將達(dá)到驚人的每平方毫米28.5Gb，相較于當(dāng)前市場(chǎng)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層QLC技術(shù)的20.62Gb，提升了高達(dá)36%。與此同時(shí)，其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的QLC方案在存儲(chǔ)密度方面更是相形見絀，如美光的232層方案為19.5Gb，SK海力士的176層方案為14.4Gb，以及西數(shù)/鎧俠的162層方案為13.86Gb。這一顯著優(yōu)勢(shì)意味著，基于V9 QLC技術(shù)的SSD在理論上將能夠?qū)崿F(xiàn)單面8TB、雙面16TB的超高容量，當(dāng)然，最終產(chǎn)品的容量大小還需根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)行調(diào)整。
在性能方面，三星V9 QLC閃存技術(shù)同樣表現(xiàn)出色。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，其最大傳輸率可達(dá)到3200MT/s，相較于目前市場(chǎng)上最高的2400MT/s，提升了一個(gè)檔次。這一性能表現(xiàn)甚至能夠滿足未來PCIe 6.0方案的需求，展現(xiàn)出強(qiáng)大的前瞻性。然而，QLC方案在實(shí)際應(yīng)用中往往依賴于pSLC緩沖技術(shù)，需要將部分容量用作緩存，因此其實(shí)際性能表現(xiàn)仍有待觀察。盡管如此，隨著TLC技術(shù)的潛力逐漸耗盡，QLC已經(jīng)成為市場(chǎng)上的主流選擇。各家廠商紛紛轉(zhuǎn)向QLC技術(shù)，三星自2022年起也將主要精力投入到了QLC技術(shù)的研發(fā)之中。
