【ITBEAR科技資訊】1月17日消息，近日蘋(píng)果的一項(xiàng)硬件升級(jí)決策引發(fā)了業(yè)界和消費(fèi)者的熱議。據(jù)悉，蘋(píng)果在其即將推出的iPhone 16系列中，可能會(huì)采用速度相對(duì)較慢的四層單元(QLC)NAND閃存，替代傳統(tǒng)的三層單元(TLC)NAND閃存，特別是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過(guò)1TB的機(jī)型上。
這一變化主要源于QLC閃存的技術(shù)特性。QLC閃存相較于TLC閃存，其每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)位，從而在相同數(shù)量的存儲(chǔ)單元下實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)容量，或者在達(dá)到相同存儲(chǔ)容量時(shí)使用更少的存儲(chǔ)單元。這種技術(shù)有助于蘋(píng)果降低生產(chǎn)成本，提高存儲(chǔ)空間的利用效率。
然而，據(jù)ITBEAR科技資訊了解，QLC閃存也存在一些潛在的缺點(diǎn)。由于其每個(gè)存儲(chǔ)單元需要處理更多的數(shù)據(jù)位，因此其寫(xiě)入數(shù)據(jù)的耐久性可能會(huì)降低，同時(shí)讀取數(shù)據(jù)時(shí)也可能因?yàn)殡姾闪康脑黾佣菀资艿皆肼暩蓴_，導(dǎo)致位錯(cuò)誤率上升。這意味著，如果蘋(píng)果真的在iPhone 16系列中采用QLC閃存，那么部分高容量版本的用戶(hù)可能會(huì)遇到數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度較慢的問(wèn)題。
對(duì)于蘋(píng)果的這一決策，市場(chǎng)和消費(fèi)者反應(yīng)不一。有些人認(rèn)為這是蘋(píng)果在追求更高利潤(rùn)和更低成本之間做出的妥協(xié)，而另一些人則擔(dān)心這可能會(huì)對(duì)iPhone 16系列的性能和用戶(hù)體驗(yàn)產(chǎn)生負(fù)面影響。無(wú)論如何，這一切都還有待新款iPhone的正式發(fā)布和市場(chǎng)檢驗(yàn)。
