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三星研發(fā)新型LLW DRAM存儲(chǔ)器,滿足AI時(shí)代高性能內(nèi)存需求

   時(shí)間:2024-01-12 11:39:14 來源:ITBEAR編輯:瑞雪 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

【ITBEAR科技資訊】1月12日消息,隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,市場對于高性能內(nèi)存的需求日益迫切。為滿足特定應(yīng)用的需求,三星正積極推出全新的存儲(chǔ)組合產(chǎn)品。

三星目前正在研發(fā)一款名為LLW DRAM的新型存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品融合了高帶寬、低延遲和低功耗等諸多優(yōu)勢。據(jù)悉,LLW DRAM主要針對需要運(yùn)行大型語言模型(LLM)的設(shè)備進(jìn)行優(yōu)化,未來有望廣泛應(yīng)用于各種客戶端工作負(fù)載中。

據(jù)ITBEAR科技資訊了解,LLW DRAM在性能方面表現(xiàn)出色,其寬I/O、低延遲的特性使得每個(gè)模塊/堆棧能夠提供高達(dá)128GB/s的帶寬,這與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相當(dāng)。同時(shí),該產(chǎn)品還具備超低功耗的特性,每比特能耗僅為1.2pJ,但三星方面并未透露在此功耗下的具體數(shù)據(jù)傳輸速率。

三星正開發(fā)新型LLW DRAM:高帶寬、低功耗

在設(shè)計(jì)方面,LLW DRAM有望借鑒GDDR6W的設(shè)計(jì)理念,并采用先進(jìn)的扇出晶圓級(jí)封裝(FOWLP)技術(shù),將多個(gè)DRAM芯片集成到一個(gè)封裝中,從而實(shí)現(xiàn)更高的集成度和更優(yōu)的性能。

目前,三星已經(jīng)公布了LLW DRAM的預(yù)期性能細(xì)節(jié)。根據(jù)以往經(jīng)驗(yàn)判斷,這款產(chǎn)品很可能已經(jīng)接近尾聲階段,相信不久后將正式與廣大消費(fèi)者見面。

標(biāo)簽: 三星
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