【ITBEAR科技資訊】8月9日消息，韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士(SK Hynix)在當(dāng)日宣布取得了重大突破，成功發(fā)布了全新的321層1Tb TLC NAND閃存。這一進(jìn)展讓SK海力士成為全球首家正式開(kāi)發(fā)300層以上NAND閃存的公司。
這項(xiàng)突破性的技術(shù)成果標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域取得了巨大的進(jìn)步。與上一代的238層512Gb NAND相比，這款321層1Tb TLC NAND的效率提升了驚人的59%。SK海力士通過(guò)增加每個(gè)芯片中存儲(chǔ)單元的數(shù)量和層數(shù)，從而在相同大小的芯片上實(shí)現(xiàn)了更大的存儲(chǔ)容量。這不僅提高了單片的存儲(chǔ)能力，還有效地提升了每個(gè)晶圓上芯片的產(chǎn)量。
SK海力士計(jì)劃在2025年上半年開(kāi)始量產(chǎn)這款321層1Tb TLC NAND閃存，為市場(chǎng)提供更大容量、更高效率的存儲(chǔ)解決方案。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，除了這一突破性的321層1Tb TLC NAND閃存，SK海力士還推出了適應(yīng)不同需求的下一代NAND產(chǎn)品。其中，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD)采用了PCIe 5(Gen5)接口，為企業(yè)級(jí)用戶提供更快速的數(shù)據(jù)傳輸能力。此外，UFS 4.0也將成為移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的亮點(diǎn)，為手機(jī)等設(shè)備帶來(lái)更高速的閃存存儲(chǔ)性能。
SK海力士表示，公司將繼續(xù)在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上不斷優(yōu)化產(chǎn)品，并積極投入下一代產(chǎn)品的研發(fā)。他們正致力于開(kāi)發(fā)適應(yīng)未來(lái)市場(chǎng)需求的PCIe 6.0和UFS 5.0產(chǎn)品，為行業(yè)的發(fā)展引領(lǐng)潮流。這一系列的創(chuàng)新舉措將進(jìn)一步鞏固SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，為全球科技發(fā)展貢獻(xiàn)重要力量。
