【ITBEAR科技資訊】7月28日消息，隨著半導(dǎo)體工藝不斷深入，制造難度和成本逐漸攀升，摩爾定律面臨著物理極限的考驗(yàn)，預(yù)計(jì)最終將在大約1納米左右失效，由于量子隧穿難題的出現(xiàn)。然而，各大廠商在紙面上的1納米工藝仍將成為可能，臺(tái)積電去年已經(jīng)著手研發(fā)1.4納米工藝，并計(jì)劃向更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，1.4納米工藝被視為通往1納米工藝的橋梁，這也是半導(dǎo)體行業(yè)急于追求的目標(biāo)。根據(jù)IMEC歐洲微電子中心的路線圖顯示，2納米工藝之后將是1.4納米工藝，預(yù)計(jì)在2026年問世，而隨后將推出A10工藝，即1納米工藝，預(yù)計(jì)在2028年面世。不過，新技術(shù)的推出往往存在不確定性，實(shí)際量產(chǎn)時(shí)間可能比2028年還要晚一些。
值得一提的是，在邁向2納米及更先進(jìn)工藝的過程中，EUV(極紫外)光刻技術(shù)也將迎來一次重大升級(jí)。ASML公司計(jì)劃在2026年推出High NA技術(shù)的下一代EUV光刻機(jī)EXE:5000系列，將光刻分辨率從目前的0.33提升至0.55，以進(jìn)一步推動(dòng)制程的發(fā)展。
然而，這一代EUV光刻機(jī)的代價(jià)也相當(dāng)昂貴，售價(jià)預(yù)計(jì)將從目前的1.5億美元飆升至4億美元以上，甚至可能繼續(xù)上漲。對(duì)制造商而言，如何控制成本將成為一項(xiàng)嚴(yán)峻的考驗(yàn)。
盡管半導(dǎo)體制造面臨著巨大的挑戰(zhàn)，但科技公司和制造商仍不斷努力突破技術(shù)的限制，以滿足市場(chǎng)對(duì)更高性能、更節(jié)能半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。面對(duì)未來的不確定性，技術(shù)的進(jìn)步和創(chuàng)新將是推動(dòng)行業(yè)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。
