【ITBEAR科技資訊】05月20日消息，三星電子再次展示了在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，宣布正式啟動了12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)。這款新一代內(nèi)存芯片采用差異化的工藝技術(shù)，具備出色的性能和電源效率。據(jù)三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee介紹，通過使用一種新的高K材料，12納米級DDR5 DRAM的開發(fā)取得了重大突破。新工藝使得晶體管柵極材料具備更高的電容，提高了狀態(tài)準(zhǔn)確區(qū)分的能力。此外，三星還通過降低工作電壓和減少噪音的努力，為內(nèi)存芯片提供了優(yōu)化的解決方案。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，這次12納米級DDR5 DRAM的首次使用將主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計算等領(lǐng)域，而PC用戶則需要等待更長的時間。然而，這次生產(chǎn)的16Gb DDR5 DRAM具有諸多優(yōu)勢，包括降低了約23%的功耗和提高了20%的晶圓生產(chǎn)力。此外，新一代內(nèi)存芯片的最大引腳速度可達7.2Gbps，進一步提升了性能。
此次12納米工藝的推出標(biāo)志著三星電子在內(nèi)存領(lǐng)域的技術(shù)突破，不過值得注意的是，雖然這些內(nèi)存IC在功耗、速度和晶圓經(jīng)濟等方面有所改進，但其容量仍然是16Gb，并沒有在密度路線圖上取得更大的突破。然而，隨著12納米級DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)，三星電子進一步鞏固了在DRAM市場的領(lǐng)先地位，為數(shù)據(jù)中心和人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了更高性能和更低功耗的解決方案。
