【ITBEAR科技資訊】4月20日消息，臺(tái)積電今天上午公布了Q1季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電Q1季度營(yíng)收5086.3億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)3.6%，環(huán)比下降18.7%;凈利潤(rùn)2069億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)2.1%，環(huán)比下降30%，雖然超出市場(chǎng)預(yù)期，但這是4年來最小的增幅。臺(tái)積電表示，Q2季度銷售額預(yù)計(jì)在152億美元至160億美元之間;預(yù)計(jì)全年資本支出為320億美元至360億美元。值得注意的是，相比外界的傳聞，臺(tái)積電并沒有削減投資。
先進(jìn)工藝一直是臺(tái)積電的核心競(jìng)爭(zhēng)力。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，在Q1季度中，先進(jìn)工藝貢獻(xiàn)了臺(tái)積電過半營(yíng)收。其中，7nm營(yíng)收占比20%，5nm工藝出貨營(yíng)收占比31%。二者合計(jì)超過51%，遙遙領(lǐng)先其他工藝。
臺(tái)積電表示，3nm工藝今年下半年將放量生產(chǎn)。同時(shí)，更低成本但密度有所減少的N3E工藝也將量產(chǎn)。未來，2nm工藝將是臺(tái)積電的重點(diǎn)。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，臺(tái)積電的2nm工藝將于2025年量產(chǎn)。這將是臺(tái)積電首次采用GAA晶體管，而非FinFET晶體管結(jié)構(gòu)。與臺(tái)積電的N3E工藝相比，在相同功耗下，臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10%至15%;而在相同性能下，臺(tái)積電2nm工藝的功耗將降低23%至30%。然而，晶體管密度僅提升了10%，比之前的工藝提升縮水60%至70%。
