【ITBEAR科技資訊】3月17日消息，近日，據(jù)消息稱，SK海力士公司的35名工程師聯(lián)名提交了一份論文，闡述了他們?nèi)绾喂タ肆?00+層TLC閃存的難關(guān)。這項技術(shù)突破將進(jìn)一步推動閃存芯片的發(fā)展。
SK海力士公司采用了TPGM、AUSP、PDS、APR以及PLRR等五項技術(shù)，實現(xiàn)了超過300層的TLC顆粒堆疊。這顆1Tb容量的TLC 3D閃存(3bit/Cell)達(dá)到了驚人的20Gb/mm2容量密度，寫入速度更是狂飆到194MB/s創(chuàng)紀(jì)錄。這一技術(shù)的突破為未來存儲器技術(shù)的發(fā)展帶來了更大的推動力。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，閃存芯片的進(jìn)化方向是通過更多層地堆疊來實現(xiàn)更快的讀寫速度，同時提高單位面積的存儲容量，降低存儲成本。但隨著層數(shù)的增加，也會出現(xiàn)一系列挑戰(zhàn)，例如更高的能耗、更復(fù)雜的制造工藝、更難以維護(hù)的穩(wěn)定性等。因此，SK海力士的成功是一個重要的里程碑，能夠為存儲器技術(shù)的未來發(fā)展帶來更多的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
SK海力士的300+層TLC將在2024年量產(chǎn)商用。這一突破將為閃存芯片制造商帶來更多的技術(shù)革新和商業(yè)機(jī)遇，也將推動存儲器技術(shù)的發(fā)展，為智能手機(jī)、筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域帶來更高效、更快速、更可靠的存儲器設(shè)備。
