【ITBEAR科技資訊】3月16日消息，近日，吉利科技旗下的功率半導體公司浙江晶能微電子宣布，他們自主設(shè)計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。該款芯片采用了第七代微溝槽柵和場截止技術(shù)，優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了更低的導通/開關(guān)損耗，功率密度增大約 35%。
IGBT 是現(xiàn)代電力電子中的主導型器件，因其優(yōu)越的性能而被譽為電力電子裝置的“CPU”。該款 IGBT 芯片的綜合性能指標已達到行業(yè)領(lǐng)先水平，被視為未來功率芯片和模塊創(chuàng)新應(yīng)用的關(guān)鍵組件之一。
據(jù)晶能微電子介紹，一輛典型的新能源汽車所需的芯片數(shù)量超過 1200 顆，功率半導體占比接近 1/4。因此，晶能微電子將繼續(xù)致力于研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產(chǎn)品，以滿足動力總成系統(tǒng)中的開發(fā)需求。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，近期也有行業(yè)開發(fā)者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯(lián)模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創(chuàng)新應(yīng)用場景會更加豐富。
晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，其聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計 + 模塊制造 + 車規(guī)認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。
