【ITBEAR科技資訊】3月15日消息，近日，有傳言稱(chēng)華為已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了“芯片堆疊技術(shù)”，可以將兩塊14納米制程芯片疊加在一起，實(shí)現(xiàn)與7納米制程芯片相似的性能和功耗。這個(gè)消息在網(wǎng)上引起了不少討論，但華為方面卻稱(chēng)該消息為謠言。
據(jù)分析，芯片堆疊技術(shù)本身出發(fā)點(diǎn)是克服傳統(tǒng)單一芯片存在的局限性，從而實(shí)現(xiàn)更高性能、更高集成度、更低功耗、更小尺寸和更高可靠性。但是兩年前就有了的這個(gè)傳聞現(xiàn)在再次被翻出，引起了人們的質(zhì)疑。
對(duì)于這個(gè)“芯片堆疊技術(shù)”到底是什么，許多人持懷疑態(tài)度。實(shí)際上，通過(guò)芯片疊加工藝讓兩塊14納米芯片達(dá)到7納米水平說(shuō)法本身就是錯(cuò)誤的。兩款14納米芯片疊加在一起，想要實(shí)現(xiàn)與單塊7納米芯片相同的性能和功耗水平是困難的。即使可以組合，這樣實(shí)現(xiàn)后也需要通過(guò)降頻。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，要知道，14納米芯片達(dá)到7納米的性能水平就必須功耗翻倍，同時(shí)還需要進(jìn)一步擴(kuò)大芯片面積才能塞下更多的晶體管，這顯然脫離了芯片發(fā)展規(guī)律。而且，7納米芯片功耗基本在7瓦左右，14納米芯片想要保持跟前者的性能，功耗至少要翻一倍。如果兩款疊加在一起，功耗問(wèn)題更加嚴(yán)重。
芯片堆疊技術(shù)方案難題包含了熱管理、電氣互聯(lián)、封裝和測(cè)試、制造技術(shù)等等，這對(duì)于現(xiàn)在的華為來(lái)說(shuō)可能都不是那么輕易完成的。雖然華為可能正在研究和開(kāi)發(fā)芯片堆疊技術(shù)，但要達(dá)到像傳聞中所說(shuō)的效果還需要克服多個(gè)技術(shù)難題，因此上述傳聞完全就是YY。
