1 月 19 日消息，根據(jù)外媒 VideoCardz 消息，SK 海力士在一份文件中透露，將在 ISSCC 2022(IEEE 國際固態(tài)電路大會(huì))發(fā)布兩款全新的 DRAM 芯片，其中包含 12 層堆疊的 HBM3 高速內(nèi)存，以及速度更塊的 GDDR6 芯片。
SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 層 HBM3 內(nèi)存，速度達(dá)到了 820GB/s，而新產(chǎn)品的速度將進(jìn)一步提升，達(dá)到 896 GB/s。
SK 海力士這款 HBM3 內(nèi)存芯片采用 TSV 硅通孔工藝制造，單顆最大容量可達(dá) 24GB。目前這類產(chǎn)品在服務(wù)器 CPU 中有應(yīng)用，與處理器核心緊密封裝在一起，實(shí)現(xiàn)高速率。海力士還表示，這款芯片使用了自動(dòng)校準(zhǔn)和機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化技術(shù)。目前，還不知道該產(chǎn)品是否會(huì)很快量產(chǎn)。
文件中 SK 海力士表示，將展示 16Gb(2GB) 27Gb/s GDDR6 顯存芯片，該產(chǎn)品將采用 T-coil 電路結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更高的速度。此前的 GDDR6 顯存最高帶寬為 24Gb/s，海力士的這款新品速度超過了三星。
ISSCC 2022 大會(huì)將于 2 月 24 日舉辦，屆時(shí) SK 海力士的高管將介紹更詳細(xì)的內(nèi)容。
