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博世宣布:碳化硅(SiC)芯片開(kāi)始量產(chǎn)

   時(shí)間:2021-12-03 13:49:35 來(lái)源:TechWeb作者:瓦特編輯:星輝 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

12 月 3 日消息,博世集團(tuán)宣布將于 2021 年 12 月啟動(dòng)碳化硅芯片的量產(chǎn)。博世集團(tuán)董事會(huì)成員 Harald Kroeger:“博世希望成為全球領(lǐng)先的電動(dòng)出行碳化硅(SiC)芯片生產(chǎn)供應(yīng)商。”

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體具有體積小、效率高、功率密度大的顯著優(yōu)勢(shì)。市場(chǎng)調(diào)研咨詢公司 Yole 發(fā)布的預(yù)測(cè)顯示,從現(xiàn)在到 2025 年,碳化硅市場(chǎng)每年的增速將達(dá)到 30%,市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò) 25 億美元。當(dāng)規(guī)模達(dá)到 15 億美元時(shí),搭載碳化硅器件的汽車將占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

截止 2021 年,博世已在羅伊特林根晶圓工廠增建 1000 平方米無(wú)塵車間,并預(yù)計(jì)在 2023 年底新建 3000 平方米無(wú)塵車間,用于碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)。

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