CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝是少不了的?，F(xiàn)在內(nèi)存還停留在10nm工藝級別，暫時沒用到EUV工藝。不過三星、SK海力士及美光也確定未來會用，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。
資料圖(來自：Micron 官網(wǎng))
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入。
美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預(yù)計2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
注意，這個是1γ工藝，不是之前的1y工藝，10nm級別的內(nèi)存工藝中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。
在美光之前，三星及SK海力士都更早進(jìn)入了EUV節(jié)點(diǎn)，從去年底就開始部署EUV光刻工藝了，而且比美光更激進(jìn)，最快在1a工藝節(jié)點(diǎn)就會量產(chǎn)EUV內(nèi)存芯片。
