4月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片工藝方面走在行業(yè)前列的代工商臺(tái)積電，已順利大規(guī)模量產(chǎn)5nm工藝，良品率也比較可觀。
在5nm工藝量產(chǎn)之后，臺(tái)積電工藝研發(fā)的重點(diǎn)就將是3nm和更先進(jìn)的工藝。對(duì)于3nm工藝，外媒的報(bào)道顯示，臺(tái)積電是計(jì)劃每平方毫米集成2.5億個(gè)晶體管。
臺(tái)積電在3nm工藝方面已研發(fā)多年，多年前就在開始籌備量產(chǎn)事宜。臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀在2017年的10月份，也就是在他退休前8個(gè)月的一次采訪中，曾談到3nm工廠，當(dāng)時(shí)他透露采用3nm工藝的芯片制造工廠計(jì)劃在2022年建成，保守估計(jì)建成時(shí)可能會(huì)花費(fèi)150億美元，最終可能會(huì)達(dá)到200億美元。
而在去年10月份的報(bào)道中，外媒表示臺(tái)積電生產(chǎn)3nm芯片的工廠已經(jīng)開始建設(shè)，工廠占地50到80公頃，預(yù)計(jì)花費(fèi)195億美元。
在4月16日的一季度財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，臺(tái)積電副董事長(zhǎng)兼CEO魏哲家也曾談到3nm工藝，他表示3nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，他們的目標(biāo)是在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
魏哲家在會(huì)上還透露，3nm是他們?cè)?nm之后在芯片工藝上的一個(gè)完整的技術(shù)跨越，同第一代的5nm工藝(N5)相比，第一代的3nm工藝(N3)的晶體管密度將提升約70%，速度提升10%到15%，芯片的性能提升25%到30%，3nm工藝將進(jìn)一步夯實(shí)他們未來(lái)在芯片工藝方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。
