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因驍龍855不支持 三星Note 10或無(wú)緣LPDDR5內(nèi)存

   時(shí)間:2019-07-19 10:08:28 來(lái)源:快科技編輯:星輝 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)12GB LPDDR5內(nèi)存,滿足高端旗艦對(duì)大容量高速內(nèi)存的需求。

據(jù)悉,三星LPDDR5內(nèi)存采用最新的第二代10nm制程,并針對(duì)5G與AI進(jìn)行優(yōu)化,包括超高解析度影片錄制以及機(jī)器學(xué)習(xí),并大幅延長(zhǎng)電池續(xù)航,速度達(dá)到了5500MB/s,是目前LPDDR4X的1.3倍(4266MB/s)。

有報(bào)道稱(chēng)三星Galaxy Note 10將首發(fā)12GB LPDDR5內(nèi)存,但是知名爆料人士Roland Quandt提出異議。

7月19日,Roland Quandt在推特表示,根據(jù)高通公布的規(guī)格表,驍龍855和驍龍855 Plus均不支持LPDDR5內(nèi)存,因此三星Galaxy Note 10首發(fā)LPDDR5內(nèi)存極有可能是錯(cuò)誤的。

根據(jù)已經(jīng)披露的信息,三星Galaxy Note 10有驍龍855和Exynos 9825兩個(gè)版本,其中美版、國(guó)行版搭載驍龍855,韓版搭載Exynos 9825。

此外,三星Galaxy Note 10還取消了3.5mm耳機(jī)孔。與此同時(shí),三星為Galaxy Note 10打造了降噪耳機(jī)(Type-C口),有望在發(fā)布會(huì)上同步亮相。

該機(jī)將于北京時(shí)間8月8日凌晨4點(diǎn)在紐約發(fā)布。

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