(原標題：三星推出業(yè)界首款HBM2E內(nèi)存產(chǎn)品，速度提升33%，容量翻倍)
3月21日消息 在英偉達的GTC 2019大會上，三星發(fā)布了新的Flashbolt高帶寬內(nèi)存(HBM)，據(jù)稱是業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品。
IT之家獲悉，新一代產(chǎn)品將每個針腳的帶寬提高33％——從2.4Gbps提高到3.2Gbps；此外，每個芯片的容量也翻了一倍，達到16Gb。據(jù)此，1024位總線的Flashbolt封裝，可以在8-Hi堆棧配置中提供高達410GB/s的帶寬和16GB的容量。
三星的目標是將這些產(chǎn)品用在下一代數(shù)據(jù)中心、AI/ML(人工智能/機器學習)和圖形應(yīng)用程序上。
目前三星尚未宣布HBM2E產(chǎn)品量產(chǎn)計劃，但是Flashbolt未來有望進入下一代7nm GPU。
