移動(dòng)設(shè)備如何更快、更薄、更省電呢?芯片必然是關(guān)鍵，尤其是芯片的工藝制程，越先進(jìn)的工藝制程越能夠制造出更小但更強(qiáng)大的芯片。我們已經(jīng)知道，下一代智能手機(jī)芯片，如高通 Snapdragon 835，已經(jīng)開(kāi)始采用 10 納米工藝制程了，MTK 的千元芯片同樣不例外。那么，10 納米之后的 7 納米呢?對(duì)此 ARM 方面認(rèn)為，兩年后即可進(jìn)入 7 納米時(shí)代。
本周一的時(shí)候，芯片設(shè)計(jì)廠商 ARM，聲稱正在與臺(tái)灣的芯片代工廠商臺(tái)積電展開(kāi) 7 納米芯片技術(shù)的合作，ARM 將與合作方共享 7 納米芯片設(shè)計(jì)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，屆時(shí)臺(tái)積電將具備設(shè)計(jì)和生產(chǎn) 7 納米芯片的能力。 ARM 營(yíng)銷副總裁羅恩·摩爾 (Ron Moore)表示，預(yù)計(jì) 2018 年臺(tái)積電將開(kāi)始提供 7 納米工藝制程的芯片生產(chǎn)。
根據(jù) ARM 公布的試驗(yàn)報(bào)告， 相比目前臺(tái)積電的 16 納米工藝芯片而言，更先進(jìn)的 7 納米芯片將能夠提供 15% 到 20% 的性能提升，但智能手機(jī)芯片制造商可以調(diào)整結(jié)構(gòu)以獲得更好的性能改進(jìn)指標(biāo)。
羅恩·摩爾說(shuō)，基于 ARM 芯片的和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備也將會(huì)采用 7 納米工藝制造。最終，因此芯片制造商能夠基于他們的需求對(duì) ARM 設(shè)計(jì)的芯片做出調(diào)整。像 VR 虛擬現(xiàn)實(shí)和深度學(xué)習(xí)這種對(duì)芯片性能要求更高的特征，確實(shí)給他們?cè)谥圃旃に嚪矫嬖斐闪艘欢ǖ奶魬?zhàn)，不過(guò)可以通過(guò)多 GPU 配置進(jìn)行優(yōu)化。
羅恩·摩爾還表示，預(yù)計(jì)在 7 納米工藝制程正式量產(chǎn)之時(shí)，還將包含諸多新技術(shù)的發(fā)展，包括 EUV 技術(shù)，可以讓芯片的細(xì)節(jié)被蝕刻得更精細(xì)，但基于 ARM IP 設(shè)計(jì)芯片的廠商不需要對(duì)這些技術(shù)進(jìn)行深入了解。
臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 Globalfoundries 也正計(jì)劃轉(zhuǎn)移到 7 納米工藝制程上，預(yù)計(jì)在 2018 年可以量產(chǎn)。三星目前暫時(shí)未公開(kāi)談?wù)?7 納米工藝的計(jì)劃，但更早卻展示過(guò) 5 納米工藝。至于英特爾，之前曾表示 7 納米會(huì)將成一個(gè)發(fā)展線路圖上一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)，相信會(huì)在適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)公布相關(guān)計(jì)劃。
7 納米之后的下一步是 5 納米，不過(guò)現(xiàn)在談?wù)撊詾闀r(shí)尚早。羅恩·摩爾認(rèn)為， 2018 年將會(huì)是 7 納米的發(fā)展元年。
