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為什么手機(jī)ROM最大只有256GB?

   時(shí)間:2016-09-28 09:34:03 來源:PConline編輯:星輝 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

現(xiàn)在的智能手機(jī)存儲(chǔ)容量越做越大,很早之前,手機(jī)能有個(gè)8GB、16GB都稱得上頂配,隨著科技的進(jìn)步,軟件的更新速度不斷加快,手機(jī)功能越來越多,用戶對(duì)存儲(chǔ)容量的需求量也越來越高。特別是近幾年,手機(jī)ROM更是到了瘋狂的256GB(像iPhone 7 Plus、ZenFone 3尊爵、ZenFone 2 Deluxe)。

雖然不確定未來會(huì)不會(huì)有更高的規(guī)格,但是很明顯的是256GB會(huì)持續(xù)很長(zhǎng)一段時(shí)間。為啥會(huì)這樣呢?

揭秘:為什么手機(jī)ROM最大只有256GB?

一、智能手機(jī)為何最大ROM只有256GB?

成本受限

大家都知道容量越大,成本越高。而大部分成本取決于存儲(chǔ)介質(zhì)(存儲(chǔ)顆粒),相同容量的情況下,SLC的價(jià)格要明顯高于MLC和TLC,雖然容量的提升反映在成本的具體數(shù)字上可能僅為幾百一千。但考慮到手機(jī)要大規(guī)模生產(chǎn),聚沙成塔這成語(yǔ)相信大家都懂。

TLC=Trinary-Level Cell,即3bit per cell,該類芯片傳輸速度較慢,壽命短,生產(chǎn)成本低。MLC=Multi-Level Cell,即2bit per cell,該類芯片傳輸速度一般,壽命一般。至于SLC=Single-Level Cell,即1bit per cell,這類芯片幾乎只出現(xiàn)在企業(yè)級(jí)SSD上,成本較高,當(dāng)然速度和壽命也是三者中最出色的。

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存儲(chǔ)顆粒的三種類型

顆粒規(guī)格的限制

比較出名的三星、鎂光、現(xiàn)代、東芝這些上游存儲(chǔ)顆粒供應(yīng)廠商,其顆粒規(guī)格現(xiàn)時(shí)尚未突破256GB。由于手機(jī)不像電腦那樣體積龐大,供應(yīng)商們通常只能把一顆存儲(chǔ)顆粒裝在小小的手機(jī)內(nèi),因此手機(jī)容量就取決于這顆存儲(chǔ)顆粒的規(guī)格。

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iPhone 7 nand flash芯片

手機(jī)內(nèi)部空間限制

手機(jī)內(nèi)部空間寸金尺土,目前還無法做到兩顆存儲(chǔ)顆粒共存,早期的解決方案是插入手機(jī)內(nèi)存卡(TF卡),不過為了輕薄化與傳輸速度,很多手機(jī)都取消了拓展內(nèi)存卡的功能。但慶幸的是如今手機(jī)內(nèi)置容量都比較大,正常用個(gè)2~3年不成問題。

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TF內(nèi)存卡

手機(jī)更換周期縮短

現(xiàn)在的智能機(jī)更新?lián)Q代速度非???,一年一換甚至一年兩換的大有人在。之前中央電視臺(tái)的《東方時(shí)空》欄目曾經(jīng)做過調(diào)查,結(jié)果表示“52%手機(jī)用戶平均一年以內(nèi)換一部手機(jī)”。因此對(duì)于消費(fèi)者來說,夠用就好,太大也用不完。而廠商更是緊貼著用戶的需求進(jìn)行設(shè)計(jì)/生產(chǎn)。

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大環(huán)境下云存儲(chǔ)的發(fā)展

隨著科技進(jìn)步,網(wǎng)速也越來越快,而現(xiàn)在的4G也逐漸取代了之前的3G,未來的5G也呼之欲出,網(wǎng)速的不斷提升就衍生了一個(gè)新的名詞——云存儲(chǔ)。作為新興的存儲(chǔ)技術(shù),與傳統(tǒng)的購(gòu)買存儲(chǔ)設(shè)備和部署存儲(chǔ)軟件相比,云存儲(chǔ)有著成本低、見效快、便于管理、方式靈活等優(yōu)點(diǎn),在保證數(shù)據(jù)安全的情況下,很多用戶更愿意把數(shù)據(jù)存在云端,所以并不需要太多的本地存儲(chǔ)空間。

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云存儲(chǔ)

二、未來發(fā)展新趨勢(shì):3D NAND

什么是3D NAND?

3D NAND的概念其實(shí)不難理解:其原理簡(jiǎn)單說來就是“堆疊”,目前由英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這么一來,一個(gè)MLC的閃存芯片上就可以增加最高32GB的存儲(chǔ)空間,如果是單個(gè)TLC閃存芯片則可增加48GB。就目前來說3D NAND閃存屬于一種新興的閃存類型,通過把存儲(chǔ)顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。

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3D NAND

3D NAND技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)

3D NAND的亮點(diǎn)在于它采用的是立體、垂直堆疊的方式來提高單顆粒中包含芯片的數(shù)量,堆疊層數(shù)的提高最終會(huì)帶來容量的成倍提升,極大的提高產(chǎn)品的使用壽命;3D NAND可以提供更高的指令運(yùn)行效率,使產(chǎn)品的運(yùn)行性能得以提升;簡(jiǎn)化了編程階段,有效減少了產(chǎn)品待機(jī)和工作時(shí)的能耗。

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3D NAND

目前,三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/鎂光這幾大NAND豪門都已經(jīng)涉足3D NAND閃存了,而武漢新芯科技主導(dǎo)的國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)基地,更是國(guó)內(nèi)首家新建的12寸晶圓廠,投產(chǎn)后直接生產(chǎn)3D NAND閃存,可以說未來3D NAND就是突破移動(dòng)設(shè)備ROM容量的必備技術(shù)。

總結(jié):

科技在進(jìn)步,我們永遠(yuǎn)無法預(yù)知未來,未來的手機(jī)又會(huì)發(fā)展成啥樣呢?目前,小編還是建議大家購(gòu)買64GB、128GB的手機(jī)更為合適,夠用就好。考慮到用戶需求的問題,相信之后很長(zhǎng)一段時(shí)間也不會(huì)出超過256GB存儲(chǔ)規(guī)格的手機(jī)。

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