每一年，我們都希望移動設備的速度有大幅提升、同時能源效率也變得更高。相信很人都會把關注點放在更快的處理器、更多的RAM、更大的內(nèi)部存儲、以及更高容量的電池上，但卻忽略了某些不起眼的地方——比如存儲性能。作為移動設備的“硬盤”，廠家似乎不愿多談。但是對于較真的人們來說，熱門Android手機和iPhone之間，又可以拉出多大的差距呢?
外媒AnandTech特地對包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7 / S6 / S6 edge S5、小米Note Pro、華為P8 / Mate 8 / 榮耀5X、LG G4、Google Nexus 5X / 6P在內(nèi)的十余款設備進行了磁盤性能測試。
令人驚訝的是，在內(nèi)部閃存順序讀寫測試中，iPhone 6s Plus均遠遠高于其它Android競爭對手。
持續(xù)寫入測試中，排名前三的分別為iPhone 6s Plus(163.20 MB/s)、三星Galaxy S7(64.49 MB/s)、以及Galaxy S6 / S6 edge(并列40.69 MB/s)。
在順序讀取測試中，排名前三的也是這幾個，其中iPhone 6s Plus的成績?yōu)?02.35 MB/s、三星Galaxy S7為 233.27MB/s、Galaxy S6 / S6 edge并列 208.69MB/s。
iPhone 6s之所以這么快(相較于iPhone 6)，是因為蘋果改變了內(nèi)存的處理方式。根據(jù)AnandTech的詳細所述，蘋果選用了在MacBook SSD上創(chuàng)下驚人速度的主控，在將之改造后塞進了智能機中。
此外，報道還提到iPhone 6s采用了定制NAND閃存和NVMe協(xié)議，而不是UFS或傳統(tǒng)的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款機型，也都使用了相同的存儲類型。
在測試中，蘋果的存儲，輕松擊敗了搭載UFS 2.0閃存的Galaxy S6系列，即使后者已經(jīng)算是相當快了。
【補充】2月份的時候，三星宣布其UFS 2.0技術變得更快、容量也提升到了256GB —— 順序讀取可達850MB/s、持續(xù)寫入也有260MB/s。
遺憾的是，在AnandTech的測試中，該公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都沒能打破iPhone 6s創(chuàng)下的記錄。
