9月22日，三星電子16號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)，該生產(chǎn)線為全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品為20納米級(jí)NAND閃存，記者從三星方面了解到，三星電子本月還將首次實(shí)現(xiàn)20納米級(jí)DDR3內(nèi)存設(shè)備的量產(chǎn)，成為全球最早量產(chǎn)20納米級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的企業(yè)。
據(jù)悉，三星電子16號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)線自去年5月開工建設(shè)，經(jīng)過短短的15個(gè)月即投入運(yùn)行，總面積約為20萬平方米，建筑達(dá)12層，也是全球最大規(guī)模，最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線。
三星電子方面表示，三星電子16號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)線今年2月竣工、5月建成潔凈室(Clean Room)、6月開始產(chǎn)品測試、8月完備量產(chǎn)系統(tǒng)，計(jì)劃從本月起，每月生產(chǎn)1萬片以上的12英寸晶圓20納米高速NAND閃存。有業(yè)內(nèi)人士稱，以此為契機(jī)，三星電子在鞏固其內(nèi)存領(lǐng)先企業(yè)地位的同時(shí)，也為全球IT市場注入了新的活力，為以后的發(fā)展打下了良好的基礎(chǔ)。到今年末為止，三星將按照NAND閃存的需求，逐漸增加12英寸晶圓的生產(chǎn)規(guī)模，明年計(jì)劃量產(chǎn)10納米級(jí)大容量高速閃存。
此外，本月將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的三星20納米級(jí)DDR3內(nèi)存擁有與去年7月研發(fā)的30納米級(jí)DDR3內(nèi)存的同等性能，同時(shí)提高了約50%生產(chǎn)效率，節(jié)約了40%以上的耗電量，是名副其實(shí)的綠色內(nèi)存。
三星計(jì)劃今年內(nèi)研發(fā)20納米級(jí)4Gb DDR3內(nèi)存，明年開始量產(chǎn)4GB、8GB、16GB、32GB等大容量產(chǎn)品。三星將從企業(yè)服務(wù)器市場到筆記本市場等各種IT市場上不斷擴(kuò)大綠色內(nèi)存的比重。
三星集團(tuán)李健熙會(huì)長、索尼集團(tuán)中川裕副會(huì)長等500余名IT界人士出席了22日的16號(hào)生產(chǎn)線竣工儀式暨20納米級(jí)DRAM量產(chǎn)儀式。
三星李健熙會(huì)長表示：“這次16號(hào)生產(chǎn)線的竣工投產(chǎn)讓我們擁有了全球最先進(jìn)的工程生產(chǎn)線，也讓我們更加穩(wěn)定地向顧客供應(yīng)更多的尖端產(chǎn)品，加強(qiáng)了三星獨(dú)有的競爭力。”
