在2010年2月的半導(dǎo)體相關(guān)國際會(huì)議“ISSCC 2010”上，美國IBM發(fā)布了嵌入8個(gè)內(nèi)核、混載DRAM、浮點(diǎn)運(yùn)算性能高達(dá)200GFLOPS的服務(wù)器用微處理器“Power7”，吸引了與會(huì)者的目 光。該產(chǎn)品采用45nm工藝技術(shù)制造，最大工作頻率為4.14GHz。技術(shù)在線就該處理器中采用的新技術(shù)、以及相對于競爭對手處理器的優(yōu)勢等，采訪了負(fù)責(zé) Power7開發(fā)的IBM高級工程師兼處理器開發(fā)負(fù)責(zé)人Ron Kalla。以下是采訪全文：
——與65nm工藝的“Power6”相比，Power7在哪些方面有所提高？
與Power6相比，Power7將內(nèi)核數(shù)提高到了4倍，將單位內(nèi)核可執(zhí)行的線程數(shù)提高到了2倍。此外，還導(dǎo)入了使半數(shù)內(nèi)核休眠、增加可平均分 配給剩余內(nèi)核緩存容量的“Turbo Core Mode”功能等。不僅提高了性能，還采用了許多低耗電技術(shù)。如果只從性能上看，Power6并不比Power7遜色，但稱不上是低耗電處理器。而 Power7則將單位耗電量的性能提高到了Power6的4倍。
——將此前外接的L3緩存作為混載DRAM集成到了Power7中，這一點(diǎn)成了人們關(guān)心的話題。
采用混載DRAM方式的L3緩存，堪稱是我們在Power7上實(shí)現(xiàn)的最大技術(shù)革新。我們在大約10年前就開始致力于處理器的DRAM混載，此次 終于得以實(shí)現(xiàn)?；?0年才實(shí)現(xiàn)，可見技術(shù)難度之高。與采用混載SRAM構(gòu)成L3緩存相比，混載DRAM可將存儲(chǔ)單元面積減小到1/3，將待機(jī)時(shí)耗電量降 低到1/5。與外接L3緩存時(shí)相比，延遲時(shí)間（Latency）可縮短到1/6。
——與英特爾的處理器相比也不遜色嗎？
不比英特爾的芯片遜色。特別是在處理器內(nèi)核性能與內(nèi)存存取速度的均衡、以及運(yùn)行過程中內(nèi)存的平均帶寬方面，還超過了包括英特爾在內(nèi)的其他競爭對 手。即便僅從芯片面積這一點(diǎn)來看也具有優(yōu)勢，如：通過采用混載DRAM，使得L3緩存的內(nèi)存集成密度高于英特爾相同工藝技術(shù)的處理器。
——繼Power7之后的“Power8”將會(huì)是擁有何種性能的芯片？另外，貴公司何時(shí)采用英特爾已投產(chǎn)的32nm工藝制造處 理器？
Power8還處于探討芯片設(shè)計(jì)概念的階段，性能指標(biāo)還不能公開。不過，混載DRAM等優(yōu)秀技術(shù)我們希望繼續(xù)沿用。關(guān)于投產(chǎn)日期，可以參考以往 （每隔3年投放一種新架構(gòu)的）的周期。雖然32nm工藝的投產(chǎn)日期也不能公布，但我可以回答的是，投產(chǎn)已經(jīng)納入了視野。
——隨著節(jié)能化成為全球的潮流，服務(wù)器用處理器的競爭條件出現(xiàn)了什么變化？
低耗電技術(shù)已成為重要的差異化因素。在IBM于2001年投產(chǎn)180nm工藝的“Power4”時(shí)，就連負(fù)責(zé)開發(fā)電源管理技術(shù)專業(yè)團(tuán)隊(duì)都不存 在。而目前，在芯片以及系統(tǒng)等多個(gè)層面都開始采用低耗電技術(shù)。今后，導(dǎo)入類似電源門控（Power Gating）那樣的低耗電技術(shù)必不可少。
——IBM一條龍式地從事從半導(dǎo)體工藝直到服務(wù)器的開發(fā)。從負(fù)責(zé)處理器開發(fā)的技術(shù)人員角度來看，這是不是實(shí)現(xiàn)與競爭對手的差異 化的關(guān)鍵因素？
我非常認(rèn)同這種看法?？筛纳铺幚砥餍阅艿摹澳Хò惴椒ā备静淮嬖凇陌雽?dǎo)體工藝直到芯片設(shè)計(jì)、固件、OS、服務(wù)器，所有層面的責(zé)任人都必須在 各自的崗位上將工作做到最好。IBM公司具有這樣的環(huán)境。例如，公司內(nèi)有高級工程師（技術(shù)理事）參加的會(huì)議?？赏ㄟ^這種方式與半導(dǎo)體工藝專家等進(jìn)行探討， 這即便對負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)的我本人來說也是極其有益的。
